EMD9T2R, TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6000 шт., срок 8-10 недель
97 ֏
Кратность заказа 500 шт.
500 шт.
на сумму 48 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
| Base-Emitter Resistor | 47kΩ |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-563 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Dual Base |
| Transistor Type | NPN/PNP |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 4.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet UMD9NTR
pdf, 1685 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг