2SC5662T2LP, TRANS NPN 11V 0.05A VMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8000 шт., срок 8-10 недель
58 ֏
Кратность заказа 8000 шт.
8000 шт.
на сумму 464 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 11V 50MA
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.5 mm |
Длина | 1.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 56 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 11 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3.2 GHz |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Серия | 2SC5662 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | VMT-3 |
Ширина | 0.8 mm |
Brand | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 20 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 11 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 50 mA |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 56 |
DC Current Gain HFE Max | 180 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 3 V |
Factory Pack Quantity | 8000 |
Gain Bandwidth Product FT | 3.2 GHz |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.05 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | VMT-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | 2SC5662 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1159 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг