UMG8NTR, TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
62069 шт., срок 8-10 недель
44 ֏
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
от 100 шт. —
36 ֏
21 шт.
на сумму 924 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
2 NPN - Pre-Biased 150mW 100mA 50V SOT-353-5 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | 2 NPN-Pre-Biased |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 80 |
| DC Current Gain hFE Max: | 80 |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TUMT-5 |
| Part # Aliases: | UMG8N |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 10 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг