2SB1689T106, TRANS PNP 12V 1.5A UMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2956 шт., срок 8-10 недель
58 ֏
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 100 шт. —
53 ֏
15 шт.
на сумму 870 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 12V 1.5A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | 2SB1689 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 110 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 400 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SB1689 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.25 mm |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | -15 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -12 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -110 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | -1.5 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 270 |
| DC Current Gain HFE Max | 680 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 400 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | -3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | 2SB1689 |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | 2SB1689 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | PNP |
Техническая документация
Datasheet 2SB1689T106
pdf, 1402 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг