QS6K1TR, MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

QS6K1TR, MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
100 шт., срок 8-10 недель
132 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
7 шт. на сумму 924 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8033233695
Бренд: Rohm

Описание

Массив Mosfet 2, N-канал (двойной), 30 В, 1 А, 1,25 Вт, поверхностный монтаж, TSMT6 (SC-95)

Технические параметры

Base Product Number *K1 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
ECCN EAR99
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 77pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 238mOhm @ 1A, 4.5V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 4.5В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1.5В
Рассеиваемая Мощность 900мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.364Ом
Стиль Корпуса Транзистора TSMT

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 сентября1 бесплатно
HayPost 22 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг