DTC114TKAT146, TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
59337 шт., срок 8-10 недель
22 ֏
Мин. кол-во для заказа 42 шт.
от 500 шт. —
18 ֏
от 1000 шт. —
17 ֏
42 шт.
на сумму 924 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DIGIT NPN 50V 100MA
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | DTC114TKA |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 600 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DTC114TKA |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SC-59-3 |
Ширина | 1.6 mm |
Base Product Number | DTC114 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 250MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
Supplier Device Package | SMT3 |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Техническая документация
Datasheet DTC114TKAT146
pdf, 1976 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг