RZM001P02T2L, MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3

Фото 1/2 RZM001P02T2L, MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
31550 шт., срок 8-10 недель
31 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 500 шт.27 ֏
от 1000 шт.23 ֏
от 2000 шт.21 ֏
30 шт. на сумму 930 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8033250444
Бренд: Rohm

Описание

МОП-транзистор 1.2V Drive Pch МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки: 100 mA
Pd - рассеивание мощности: 150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток: - 10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 62 ns
Время спада: 137 ns
Высота: 0.55 mm
Длина: 1.3 mm
Другие названия товара №: RZM001P02
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 120 ms
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: P-Channel
Продукт: MOSFET
Производитель: ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки: 8000
Серия: RZM001P02
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 P-Channel
Тип: Small Signal MOSFET
Типичное время задержки выключения: 325 ns
Типичное время задержки при включении: 46 ns
Торговая марка: ROHM Semiconductor
Упаковка / блок: SOT-723-3
Ширина: 0.9 mm
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 100 mA
Maximum Drain Source Resistance 40 Ω
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Maximum Gate Source Voltage -10 V, +10 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 150 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 0.3V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-723
Pin Count 3
Series RZM001P02
Width 0.9mm
Continuous Drain Current (Id) 100mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 3.8Ω@4.5V, 100mA
Drain Source Voltage (Vdss) 20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1V@100uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 15pF@10V
Power Dissipation (Pd) 150mW
Type 1PCSPChannel

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2253 КБ
Datasheet RZM001P02T2L
pdf, 1356 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 сентября1 бесплатно
HayPost 22 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг