RZM001P02T2L, MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
![Фото 1/2 RZM001P02T2L, MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3](https://static.chipdip.ru/lib/642/DOC006642957.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC034255002.jpg)
31550 шт., срок 8-10 недель
31 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 500 шт. —
27 ֏
от 1000 шт. —
23 ֏
от 2000 шт. —
21 ֏
30 шт.
на сумму 930 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор 1.2V Drive Pch МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки: | 100 mA |
Pd - рассеивание мощности: | 150 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 3.8 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1 V |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Время нарастания: | 62 ns |
Время спада: | 137 ns |
Высота: | 0.55 mm |
Длина: | 1.3 mm |
Другие названия товара №: | RZM001P02 |
Канальный режим: | Enhancement |
Категория продукта: | МОП-транзистор |
Количество каналов: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 120 ms |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Подкатегория: | MOSFETs |
Полярность транзистора: | P-Channel |
Продукт: | MOSFET |
Производитель: | ROHM Semiconductor |
Размер фабричной упаковки: | 8000 |
Серия: | RZM001P02 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | MOSFET |
Тип транзистора: | 1 P-Channel |
Тип: | Small Signal MOSFET |
Типичное время задержки выключения: | 325 ns |
Типичное время задержки при включении: | 46 ns |
Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок: | SOT-723-3 |
Ширина: | 0.9 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 100 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 40 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-723 |
Pin Count | 3 |
Series | RZM001P02 |
Width | 0.9mm |
Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.8Ω@4.5V, 100mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@100uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 15pF@10V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Type | 1PCSPChannel |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг