DTC115EEBTL, NPN, 3-PINNPN DIGITAL TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт., срок 8-10 недель
36 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт.
на сумму 36 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Digital Trans w/Res EMT3F
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходное напряжение | 100 mV |
| Другие названия товара № | DTC115EEB |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 100 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-416FL-3 |
Техническая документация
Datasheet DTC115EEBTL
pdf, 1326 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг