2SAR512P5T100, TRANS PNP 30V 2A MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт., срок 8-10 недель
176 ֏
Кратность заказа 500 шт.
500 шт.
на сумму 88 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SAR512P5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at - 100 mA, - 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 at - 100 mA, - 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 430 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SxR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Base Product Number | 2SAR512 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 430MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-243AA |
| Power - Max | 500mW |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 35mA, 700mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Automotive | No |
| Configuration | Single Dual Collector |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Flat |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 30 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 1000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4@35mA@700mA |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 430(Typ) |
| Minimum DC Current Gain | 200@100mA@2V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | MPT |
| Tab | Tab |
| Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@700mA, 35mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@100mA, 2V |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transition Frequency (fT) | 430MHz |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг