RGTH60TS65DGC11, IGBT 650V 58A 194W TO-247N

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

450 шт., срок 8-10 недель

2 340 ֏

Кратность заказа 450 шт.

450 шт. на сумму 1 053 000 ֏

Номенклатурный номер: 8033260404

Бренд: Rohm

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench

Pd - рассеивание мощности	194 W
Вид монтажа	Through Hole
Диапазон рабочих температур	40 C to + 175 C
Другие названия товара №	RGTH60TS65D
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток	30 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	58 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	58 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	450
Серия	RGTH60TS65
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube

pdf, 1233 КБ

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП»	18 сентября¹	бесплатно
HayPost	22 сентября¹	1 650 ֏²

¹ ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа

² для посылок массой до 1 кг