RE1C001UNTCL, MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39000 шт., срок 8-10 недель
31 ֏
Мин. кол-во для заказа 27 шт.
от 500 шт. —
27 ֏
от 1000 шт. —
26 ֏
27 шт.
на сумму 837 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
MOSFET, N-CH, 20V, 0.1A, SOT-416FL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):2.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; P
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 38 ns |
| Forward Transconductance - Min | 180 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-416FL-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.5 Ohms |
| Rise Time | 4 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 2.5Ом |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 100мА |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416FL |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5Ω@4.5V, 100mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.1pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Type | 1PCSNChannel |
Техническая документация
Документация
pdf, 1363 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг