UM6K31NTN, MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 8-10 недель
71 ֏
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 100 шт. —
62 ֏
13 шт.
на сумму 923 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор Trans МОП-транзистор N-CH 60V 0.25A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.7 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 5 ns |
| Время спада | 28 ns |
| Другие названия товара № | UM6K31N |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | UM6K31N |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.5 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Техническая документация
Datasheet UM6K31NTN
pdf, 1416 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг