UMG9NTR, TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
51512 шт., срок 8-10 недель
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 100 шт. —
31 ֏
24 шт.
на сумму 960 ֏
Альтернативные предложения3
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 150 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Другие названия товара №: | UMG9N |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 30 |
| Конфигурация: | Dual Common Emitter |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Непрерывный коллекторный ток: | 50 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора: | 100 mA |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Серия: | UMG9N |
| Тип продукта: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление: | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора: | 1 |
| Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок: | UMT-5 |
Техническая документация
Datasheet UMG9NTR
pdf, 1459 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг