UMX2NTR, TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT
500 шт., срок 8-10 недель
44 ֏
Кратность заказа 500 шт.
500 шт.
на сумму 22 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
50V 150mW 120@1mA,6V 150mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 150 mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| DC Current Gain HFE Max | 560 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 180 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.15 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | UMX2N |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | UMX2N |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1mA, 6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | 2 NPN |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1954 КБ
Datasheet UMX2NTR
pdf, 1957 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг