2SC4082T106P, TRANS NPN 20V 0.05A UMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 8-10 недель
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 100 шт. —
31 ֏
24 шт.
на сумму 960 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V 50MA SOT-323
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.8 mm |
Длина | 2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 56 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 18 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 1.5 GHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | 2SC4082 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Ширина | 1.25 mm |
Collector Emitter Voltage Max | 20В |
Continuous Collector Current | 50мА |
DC Current Gain hFE Min | 82hFE |
DC Ток Коллектора | 50мА |
DC Усиление Тока hFE | 82hFE |
Power Dissipation | 200мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Корпус РЧ Транзистора | SC-70 |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 20В |
Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 1.5ГГц |
Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
Maximum DC Collector Current | 50 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 3 V |
Maximum Operating Frequency | 1500 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | UMT |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг