DTD123EKT146, TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 8-10 недель
49 ֏
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
от 100 шт. —
41 ֏
18 шт.
на сумму 882 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 500MA
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | DTD123EK |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 39 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DTD123EK |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-59-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Base Product Number | DTD123 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 200mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Base-Emitter Resistor | 2.2kΩ |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain | 39 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SMT |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг