UMH11NTN, TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
![Фото 1/2 UMH11NTN, TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6](https://static.chipdip.ru/lib/634/DOC006634145.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/612/DOC018612729.jpg)
30621 шт., срок 8-10 недель
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 100 шт. —
33 ֏
24 шт.
на сумму 960 ֏
Альтернативные предложения4
Посмотреть аналоги4
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 50MA SOT-363
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.9 mm |
Длина | 2 mm |
Другие названия товара № | UMH11N |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | UMH11N |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | UMT-6 |
Ширина | 1.25 mm |
Brand | ROHM Semiconductor |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Configuration | Dual |
Continuous Collector Current | 100 mA |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | UMT-6 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Part # Aliases | UMH11N |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Peak DC Collector Current | 100 mA |
Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Series | UMH11N |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Typical Input Resistor | 10 kOhms |
Typical Resistor Ratio | 1 |
Height | 0.9 mm |
Length | 2 mm |
RoHS | Details |
Width | 1.25 mm |
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 30@5mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг