UMH11NTN, TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Фото 1/2 UMH11NTN, TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
30621 шт., срок 8-10 недель
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 100 шт.33 ֏
24 шт. на сумму 960 ֏
Альтернативные предложения4
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8033279666
Бренд: Rohm

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 50MA SOT-363

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.9 mm
Длина 2 mm
Другие названия товара № UMH11N
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия UMH11N
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок UMT-6
Ширина 1.25 mm
Brand ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Configuration Dual
Continuous Collector Current 100 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min 30
Factory Pack Quantity 3000
Manufacturer ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case UMT-6
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases UMH11N
Pd - Power Dissipation 150 mW
Peak DC Collector Current 100 mA
Product Category Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series UMH11N
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Typical Input Resistor 10 kOhms
Typical Resistor Ratio 1
Height 0.9 mm
Length 2 mm
RoHS Details
Width 1.25 mm
Collector Current (Ic) 100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 30@5mA, 5V
Power Dissipation (Pd) 150mW

Техническая документация

Datasheet
pdf, 611 КБ
Datasheet UMH11NTN
pdf, 611 КБ
Документация
pdf, 1480 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 сентября1 бесплатно
HayPost 22 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг