2SA2071T100Q, TRANS PNP 60V 3A MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт., срок 8-10 недель
203 ֏
Кратность заказа 500 шт.
500 шт.
на сумму 101 500 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Maximum DC Collector Current | 3A |
Pd - Power Dissipation | 2W |
Transistor Type | PNP |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -3 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 |
DC Current Gain hFE Max: | 120 at 100 mA, 2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 180 MHz |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 3 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | MPT-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Pd - Power Dissipation: | 2 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | 2SA2071 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Maximum Collector Base Voltage | -60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
Maximum Operating Frequency | 10 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SC-62 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1303 КБ
Datasheet
pdf, 338 КБ
Datasheet 2SA2071T100Q
pdf, 1313 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг