RJK005N03T146, MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75 шт., срок 8-10 недель
53 ֏
Мин. кол-во для заказа 17 шт.
17 шт.
на сумму 901 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
МОП-транзистор N-CH 30V 500MA
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 500 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 650 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 11 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | RJK005N03 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | RJK005N03 |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-346-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Base Product Number | RJK005 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 580mOhm @ 500mA, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Техническая документация
Datasheet RJK005N03T146
pdf, 47 КБ
Datasheet RJK005N03T146
pdf, 43 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг