DTD113ZUT106, TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
80 шт., срок 8-10 недель
75 ֏
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
12 шт.
на сумму 900 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 500MA
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | DTD113ZU |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 82 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DTD113ZU |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 1 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 10 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Ширина | 1.25 mm |
Техническая документация
Datasheet DTD113ZUT106
pdf, 1046 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг