2SCR514P5T100, TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6400 шт., срок 8-10 недель
326 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
234 ֏
от 1000 шт. —
216 ֏
от 2000 шт. —
202 ֏
100 шт.
на сумму 32 600 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SCR514P5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 at 100 mA, 3 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 700 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 700 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SxR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-62-3 |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Continuous Collector Current | 700мА |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum DC Collector Current | 700 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 120 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 700mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@300mA, 15mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 3V |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transition Frequency (fT) | 320MHz |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг