BSS123W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; Idm: 0,68А; 0,2Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
242 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
146 ֏
от 100 шт. —
128 ֏
от 500 шт. —
99 ֏
5 шт.
на сумму 1 210 ֏
Технические параметры
| Case | SC70, SOT323 |
| Drain current | 0.17A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 10Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.2W |
| Pulsed drain current | 0.68A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.39Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 170мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.39Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 410 КБ