QS6M4TR, MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 8-10 недель
163 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
150 ֏
от 500 шт. —
141 ֏
от 1000 шт. —
130 ֏
10 шт.
на сумму 1 630 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор N+P 30 20V 1.5A TSMT6
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V, 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 18 ns, 12 ns |
| Время спада | 18 ns, 12 ns |
| Высота | 0.85 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | QS6M4 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | QS6M4 |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns, 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns, 10 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-457T-6 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 430 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TSMT-6 |
| Pin Count | 6 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.8mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг