DTC614TUT106, TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
38300 шт., срок 8-10 недель
88 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
71 ֏
от 3000 шт. —
53 ֏
100 шт.
на сумму 8 800 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR DIGITAL SMT; NPN; 20V; 600mA
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 20 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 600 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 820 |
| DC Current Gain hFE Max | 2700 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 12 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Height | 0.8 mm |
| Length | 2 mm |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | UMT-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Peak DC Collector Current | 600 mA |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| RoHS | Details |
| Series | DTC614TU |
| Transistor Polarity | NPN |
| Typical Input Resistor | 10 kOhms |
| Width | 1.25 mm |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@2.5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 820@50mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
| Transition Frequency (fT) | 150MHz |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг