RSD050N10TL, MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17500 шт., срок 8-10 недель
383 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт.
на сумму 957 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор TRANS МОП-транзистор N-CH 100V 5A 3PIN CPT
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 145 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 15 ns |
| Другие названия товара № | RSD050N10 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | RSD050N10 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
Техническая документация
Datasheet RSD050N10TL
pdf, 436 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг