IKD06N60RATMA1
![Фото 1/2 IKD06N60RATMA1](https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC039941047.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/628/DOC006628385.jpg)
3 260 ֏
1 шт.
на сумму 3 260 ֏
Описание
Описание Транзистор: IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 6А, 100Вт, DPAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 100 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | IKD06N60R SP000964628 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 12 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | RC |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1731 КБ