FDS8958B, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 240 ֏
от 10 шт. —
800 ֏
от 30 шт. —
690 ֏
от 100 шт. —
600 ֏
1 шт.
на сумму 1 240 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 2 ns, 6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.4 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC, 19 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms, 51 mOhms |
| Rise Time: | 2 ns, 6 ns |
| Series: | FDS8958B |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 nS, 17 nS |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.3 nS, 6 nS |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V, -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 3 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A, 6.4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 39 mΩ, 80 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, -20 V, +20 V, +25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W, 2 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V, 8.3 nC @ 10 V |
| Width | 3.9mm |
| Вес, г | 0.1 |