SSTA06HZGT116, Транзистор: NPN
![Фото 1/2 SSTA06HZGT116, Транзистор: NPN](https://static.chipdip.ru/lib/952/DOC021952720.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
80 шт., срок 5-6 недель
93 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
75 ֏
5 шт.
на сумму 465 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN SOT-23 0.5A 80V VCEO
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | SSTA06HZG |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
Maximum DC Collector Current | 500 A |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet SSTA06HZGT116
pdf, 1410 КБ
Datasheet SSTA06HZGT116
pdf, 1397 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг