Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
|
![]() |
31 ֏
×
18 ֏ |
от 100 шт. — 14 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
|
![]() |
79 ֏
×
48 ֏ |
от 100 шт. — 41 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.35
Корпус: TO-92
|
![]() |
31 ֏
×
17 ֏ |
от 100 шт. — 14 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.35
Корпус: TO-92
|
![]() |
285 ֏
×
191 ֏ |
от 100 шт. — 184 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
|
![]() |
128 ֏
×
71 ֏ |
от 100 шт. — 62 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…560
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 330
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25
Корпус: to-220f-3fs
|
![]() |
1 100 ֏
×
650 ֏ |
от 15 шт. — 630 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
|
![]() |
104 ֏
×
73 ֏ |
от 100 шт. — 66 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
|
![]() |
79 ֏
×
58 ֏ |
от 100 шт. — 53 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
|
![]() |
243 ֏
×
149 ֏ |
от 100 шт. — 139 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420…800
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: TO-92
|
![]() |
128 ֏
×
72 ֏ |
от 100 шт. — 60 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: TO-92
|
![]() |
116 ֏
×
57 ֏ |
от 100 шт. — 47 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: TO-92
|
![]() |
116 ֏
×
59 ֏ |
от 100 шт. — 52 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.83
Корпус: TO-92
|
![]() |
261 ֏
×
166 ֏ |
от 100 шт. — 154 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
85 ֏
×
32 ֏ |
от 100 шт. — 24 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160…400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
79 ֏
×
52 ֏ |
от 100 шт. — 41 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250…600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
55 ֏
×
21 ֏ |
от 100 шт. — 19 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 100
Корпус: to-220
|
![]() |
1 280 ֏
×
770 ֏ |
от 15 шт. — 750 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 125
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
|
![]() |
140 ֏
×
89 ֏ |
от 5 шт. — 80 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
|
![]() |
128 ֏
×
68 ֏ |
от 100 шт. — 57 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
|
![]() |
116 ֏
×
52 ֏ |
от 100 шт. — 41 ֏
|