2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92]
![Фото 1/4 2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299941.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/037/DOC024037782.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/037/DOC024037786.jpg)
128 ֏
71 ֏
от 100 шт. —
62 ֏
1 шт.
на сумму 71 ֏
Посмотреть аналоги2
Описание
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
Структура | npn | |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 160 | |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 | |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 | |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 | |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 | |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 | |
Корпус | TO-92 | |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
2N5551
pdf, 210 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N5551TF
pdf, 211 КБ
2N5551, MMBT5551
pdf, 897 КБ