Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.4

_{3622 из более 5000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

BC857CDW1T1G, Транзисторная сборка 2xPNP 45В 0.1A [SOT-363] Бренд: ON Semiconductor Структура: 2 x pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420…800 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.25 Корпус: sot-363/sc-88	быстрый просмотр	97 ֏ 49 ֏ ×	от 100 шт. — 40 ֏
BCP53-16T1G, Транзистор PNP, 80В, 1А [SOT-223] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	170 ֏ 88 ֏ ×	от 50 шт. — 69 ֏
BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 130 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	146 ֏ 80 ֏ ×	от 50 шт. — 63 ֏
BCW70LT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 215…500 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	38 ֏ ×	от 100 шт. — 31 ֏
BD13716STU, Транзистор NPN 60В 1.5А 12.5Вт [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 190 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	352 ֏ 195 ֏ ×	от 15 шт. — 178 ֏
BD13910STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 190 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	316 ֏ 163 ֏ ×	от 15 шт. — 144 ֏
BD14010STU, Транзистор PNP 80В 1.5А 12.5Вт [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 160 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	730 ֏ 367 ֏ ×	от 15 шт. — 349 ֏
BD14016STU, Транзистор PNP 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ639Е) [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 160 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	590 ֏ 351 ֏ ×	от 15 шт. — 335 ֏
BD244CTU, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 65 Вт, -6 А, 15 hFE [TO-220AB] (=BD244CG) Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65 Корпус: to-220	быстрый просмотр	590 ֏ 429 ֏ ×	от 15 шт. — 423 ֏
BD439G, Транзистор NPN 60В 4А [TO-225] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 36 Корпус: to-126	быстрый просмотр	570 ֏ 346 ֏ ×	от 15 шт. — 321 ֏
BU406G, Транзистор NPN 400В 7А 60Вт 10МГц [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 200 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 7 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 10 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 60 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 160 ֏ 710 ֏ ×	от 15 шт. — 690 ֏
BUT11A, Транзистор N-P-N 450В 5А 100Вт 800нс, [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1000 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 450 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 100 Корпус: to-220	быстрый просмотр	790 ֏ 540 ֏ ×	от 15 шт. — 510 ֏
D44VH10G, Транзистор NPN 80В 15А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 83 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 040 ֏ 520 ֏ ×	от 15 шт. — 404 ֏
FJA13009TU, Транзистор NPN 400В 12А [TO-3P] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 12 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 8 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 130 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 070 ֏ ×	от 15 шт. — 1 040 ֏
FJL6920TU, Транзистор NPN VCBO=1700D VCEO=800В 20А 200Вт [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 20 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5.5 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	4 550 ֏ 2 580 ֏ ×	от 15 шт. — 2 510 ֏
FJP5027RTU, Транзистор, NPN, 800В, 3А, 50Вт, [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1000 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 15 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 400 ֏ 830 ֏ ×	от 15 шт. — 820 ֏
FZT649, Транзистор NPN 25В 3A [SOT-223] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15…300 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 150 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	267 ֏ 170 ֏ ×	от 50 шт. — 158 ֏
KSA1013YBU, Транзистор PNP -160В -1А 0.9Вт 50МГц, (=2SA1013Y), [TO-92L] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.9 Корпус: TO-92L	быстрый просмотр	455 ֏ 303 ֏ ×	от 100 шт. — 293 ֏
KSA1298YMTF, Транзистор биполярный, PNP 25В 0.8А 0.2Вт [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 120 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.2 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	79 ֏ 30 ֏ ×	от 100 шт. — 23 ֏
KSA940TU, Транзистор PNP 150В 1.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 150 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25 Корпус: to-220	быстрый просмотр	540 ֏ 338 ֏ ×	от 15 шт. — 318 ֏

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.4

ООО «ЧИП и ДИП»