Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.5

_{3622 из более 5000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

KSC1845FTA, Транзистор NPN 120В 0.05А TO-92-Leadformed Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	267 ֏ 179 ֏ ×	от 3 шт. — 159 ֏
KSC2383YTA, Транзистор NPN 160V 1A [TO-92L] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.9 Корпус: TO-92L	быстрый просмотр	219 ֏ 147 ֏ ×	от 100 шт. — 131 ֏
KSC2690AYS, Транзистор NPN 160V 1.2A [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 155 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.2 Корпус: to-126	быстрый просмотр	425 ֏ 286 ֏ ×	от 15 шт. — 268 ֏
KSC3265YMTF, Транзистор биполярный, NPN 25В 0.8А 0.2Вт [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 120 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.2 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	79 ֏ 30 ֏ ×	от 100 шт. — 23 ֏
KSC5027OTU, Транзистор NPN 800В 3А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 15 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50 Корпус: to-220	быстрый просмотр	2 430 ֏ 1 480 ֏ ×	от 15 шт. — 1 440 ֏
KSP42TA, Транзистор NPN 300В 0.5А, (=MPSA42), [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	116 ֏ 60 ֏ ×	от 100 шт. — 48 ֏
KSP44BU, Транзистор, NPN, 400В, 300мА [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	170 ֏ 91 ֏ ×	от 100 шт. — 75 ֏
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: то-3	быстрый просмотр	7 100 ֏ 4 690 ֏ ×	от 5 шт. — 4 540 ֏
MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 50 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 300 Корпус: то-3	быстрый просмотр	13 100 ֏ 9 400 ֏ ×	от 15 шт. — 9 300 ֏
MJ15003G, Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 А, 250 Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 20 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	7 800 ֏ 5 600 ֏ ×	от 15 шт. — 5 500 ֏
MJ15004G, Транзистор PNP 140В 20А 250Вт [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 20 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	6 400 ֏ 4 510 ֏ ×	от 15 шт. — 4 440 ֏
MJ21193G, Транзистор, PNP, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	6 000 ֏ 4 220 ֏ ×	от 15 шт. — 4 180 ֏
MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	7 600 ֏ 5 400 ֏ ×	от 15 шт. — 5 300 ֏
MJ21195G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	7 100 ֏ 4 990 ֏ ×	от 15 шт. — 4 910 ֏
MJ802G, Транзистор NPN 90В 30А [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 90 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: то-3	быстрый просмотр	6 500 ֏ 4 650 ֏ ×	от 15 шт. — 4 580 ֏
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 90 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75 Корпус: dpak(to-252)	быстрый просмотр	590 ֏ 351 ֏ ×	от 15 шт. — 335 ֏
MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 90 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75 Корпус: dpak(to-252)	быстрый просмотр	590 ֏ 316 ֏ ×	от 15 шт. — 283 ֏
MJE15030G, Транзистор NPN 150В 8А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 150 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50 Корпус: to-126	быстрый просмотр	1 700 ֏ 1 010 ֏ ×	от 15 шт. — 990 ֏
MJE15031G, Транзистор PNP 150В 8А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 150 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 700 ֏ 1 020 ֏ ×	от 15 шт. — 1 000 ֏
MJE15032G, Транзистор NPN 250В 8А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: to-220	быстрый просмотр	2 430 ֏ 1 510 ֏ ×	от 15 шт. — 1 490 ֏

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.5

ООО «ЧИП и ДИП»