Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
|
![]() |
1 400 ֏
×
850 ֏ |
от 15 шт. — 830 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
|
![]() |
1 460 ֏
×
900 ֏ |
от 15 шт. — 870 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
|
![]() |
1 280 ֏
×
830 ֏ |
от 15 шт. — 800 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5
Корпус: to-126
|
![]() |
407 ֏
×
236 ֏ |
от 15 шт. — 220 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5
Корпус: to-126
|
![]() |
425 ֏
×
248 ֏ |
от 15 шт. — 231 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1500
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 6
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5
Корпус: to-126
|
![]() |
340 ֏
×
298 ֏ |
от 15 шт. — 273 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20
Корпус: to-126
|
![]() |
382 ֏
×
219 ֏ |
от 15 шт. — 199 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20
Корпус: to-126
|
![]() |
407 ֏
×
251 ֏ |
от 15 шт. — 231 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 14
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 13
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 35
Корпус: TO-220FP
|
![]() |
2 610 ֏
×
1 590 ֏ |
от 15 шт. — 1 580 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150
Корпус: TO-247
|
![]() |
4 910 ֏
×
3 190 ֏ |
от 15 шт. — 3 070 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 260
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 260
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
|
![]() |
4 310 ֏
×
2 900 ֏ |
от 15 шт. — 2 870 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
|
![]() |
4 670 ֏
×
3 220 ֏ |
от 15 шт. — 3 190 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
|
![]() |
5 400 ֏
×
3 750 ֏ |
от 15 шт. — 3 710 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 260
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 260
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
|
![]() |
3 820 ֏
×
2 610 ֏ |
от 15 шт. — 2 580 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 230
Корпус: TO-264
|
![]() |
6 900 ֏
×
4 830 ֏ |
от 15 шт. — 4 770 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-247
|
![]() |
3 040 ֏ × |
от 15 шт. — 3 010 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-247
|
![]() |
4 250 ֏
×
2 880 ֏ |
от 15 шт. — 2 850 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-247
|
![]() |
4 670 ֏
×
3 410 ֏ |
от 15 шт. — 3 350 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 600
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
104 ֏
×
71 ֏ |
от 50 шт. — 60 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246
Корпус: sot-23
|
![]() |
79 ֏
×
32 ֏ |
от 100 шт. — 24 ֏
|