Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246
Корпус: sot-23
|
![]() |
55 ֏
×
18 ֏ |
от 100 шт. — 12 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246
Корпус: sot-23
|
![]() |
73 ֏
×
22 ֏ |
от 100 шт. — 14 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn c 2 резисторами
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246
Корпус: sot-23
|
![]() |
73 ֏
×
25 ֏ |
от 100 шт. — 16 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246
Корпус: sot-23
|
![]() |
49 ֏
×
19 ֏ |
от 100 шт. — 16 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.23
Корпус: SC-59
|
![]() |
73 ֏
×
26 ֏ |
от 100 шт. — 18 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn+pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150
Корпус: TO-3P
|
![]() |
4 790 ֏
×
3 230 ֏ |
от 15 пар. — 3 200 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5
Корпус: SOT-223
|
![]() |
128 ֏
×
68 ֏ |
от 100 шт. — 60 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 75
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.8
Корпус: SOT-223
|
![]() |
316 ֏
×
195 ֏ |
от 50 шт. — 173 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
37 ֏
×
21 ֏ |
от 100 шт. — 18 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-220
|
![]() |
382 ֏
×
213 ֏ |
от 15 шт. — 192 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-220
|
![]() |
590 ֏
×
331 ֏ |
от 15 шт. — 315 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-220
|
![]() |
590 ֏
×
314 ֏ |
от 15 шт. — 298 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: TO-247
|
![]() |
2 430 ֏
×
1 520 ֏ |
от 15 шт. — 1 490 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-220
|
![]() |
730 ֏
×
374 ֏ |
от 15 шт. — 356 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-220
|
![]() |
790 ֏
×
484 ֏ |
от 15 шт. — 461 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20…70
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 115
Корпус: то-3
|
![]() |
3 880 ֏
×
2 580 ֏ |
от 50 шт. — 2 400 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.63
Корпус: TO-92
|
![]() |
44 ֏ × |
от 100 шт. — 37 ֏
|
|
![]() |
80 ֏ × |
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: n-база
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 25
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: TO-92
|
![]() |
255 ֏
×
157 ֏ |
от 15 шт. — 150 ֏
|
|
![]() |
1 020 ֏ × |
|