Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.8

_{3622 из более 5000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2SA1416T-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	540 ֏ ×	от 5 шт. — 410 ֏
2SC5569-TD-E, Транзистор GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	206 ֏ ×	от 5 шт. — 204 ֏
BC546BG, Транзистор NPN 65В 0.1А 0.63Вт [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	71 ֏ ×	от 100 шт. — 63 ֏
BC557BTF, Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 500мВт, TO92 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	62 ֏ ×
BC807-40WT1G, Транзистор PNP [SC-70-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250…600 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	730 ֏ 458 ֏ ×	от 5 шт. — 441 ֏
BC817-25LT3G, Транзистор Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	220 ֏ ×
BC846BPDW1T1G Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	31 ֏ ×
BC847CDXV6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной NPN, 45 В, 500 мВт, 100 мА, 420 hFE, SOT-563 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	84 ֏ ×	от 5 шт. — 49 ֏
BC848CPDW1T1G Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	28 ֏ ×	от 5 шт. — 25 ֏
BCP53-10T1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 50 МГц, 1.5 Вт, -1.5 А, 63 hFE Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	198 ֏ ×
BD13810STU, Транзистор PNP -60В -1.5А 12.5Вт [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 160 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	91 ֏ 51 ֏ ×	от 15 шт. — 44 ֏
BD13916STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 190 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	340 ֏ 214 ֏ ×	от 15 шт. — 194 ֏
BD242BG Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	820 ֏ ×	от 5 шт. — 710 ֏
KSA1010YTU, Транзистор GP BJT PNP 100V 7A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	339 ֏ ×	от 5 шт. — 338 ֏
KSA1142OSTU, Биполярный транзистор, PNP, 180 В, 100 мА, 8 Вт, TO-126, Through Hole Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	330 ֏ ×	от 5 шт. — 278 ֏
KSA733CGBU, Транзистор PNP 50В 0.15А 0.25Вт [TO-92] Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	209 ֏ ×	от 3 шт. — 200 ֏
KSC945YBU Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	124 ֏ ×	от 5 шт. — 75 ֏
KSD363RTU, Транзистор NPN 120В 6А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	850 ֏ ×	от 5 шт. — 800 ֏
KSD794AYSTU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	960 ֏ ×	от 5 шт. — 820 ֏
KSE13003H1ASTU, Транзистор NPN 400В 1.5A TO126-3 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	200 ֏ ×	от 5 шт. — 191 ֏

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.8

ООО «ЧИП и ДИП»