Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Toshiba

Транзисторы биполярные (BJTs) Toshiba, стр.28

_{560 из более 5000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

RN2901,LF(CT, Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A 7-9 недель, 6846 шт. Бренд: Toshiba	7-9 недель, 6846 шт.	335 ֏ ×
RN2905,LF(CT, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor 7-9 недель, 8870 шт. Бренд: Toshiba	7-9 недель, 8870 шт.	335 ֏ ×
RN2907,LF(CT, Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A 7-9 недель, 5379 шт. Бренд: Toshiba	7-9 недель, 5379 шт.	335 ֏ ×
RN4603(TE85L,F), Digital Transistors BRT PNP NPN 100mA -50V 7-9 недель, 2900 шт. Бренд: Toshiba	7-9 недель, 2900 шт.	484 ֏ ×
RN4907,LXGF, SOT-363 DIgItal TransIstors 5-6 недель, 2990 шт. Бренд: Toshiba	5-6 недель, 2990 шт.	110 ֏ ×
RN4987FE,LF(CT, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor 7-9 недель, 3336 шт. Бренд: Toshiba	7-9 недель, 3336 шт.	322 ֏ ×
RN4988FE,LF(CT, Digital Transistors NPN + PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A 7-9 недель, 10685 шт. Бренд: Toshiba	7-9 недель, 10685 шт.	295 ֏ ×
RN4989FE,LF(CT, Digital Transistors NPN + PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A 7-9 недель, 10929 шт. Бренд: Toshiba	7-9 недель, 10929 шт.	295 ֏ ×
TBD62083APG(Z,HZW), DIP-18 Darlington Transistor Arrays 5-6 недель, 321 шт. Бренд: Toshiba	5-6 недель, 321 шт.	800 ֏ ×
TBD62084AFG(Z,EL), SOP-18 DarlIngton TransIstor Arrays 5-6 недель, 27 шт. Бренд: Toshiba	5-6 недель, 27 шт.	1 980 ֏ ×
TBD62084AFNG(Z,EL), SOP-18 DarlIngton TransIstor Arrays 5-6 недель, 49 шт. Бренд: Toshiba	5-6 недель, 49 шт.	3 000 ֏ ×
TBD62183AFNG(Z,EL), SSOP-18 DarlIngton TransIstor Arrays 5-6 недель, 40 шт. Бренд: Toshiba	5-6 недель, 40 шт.	1 630 ֏ ×
TBD62503APG(Z,HZ), DIP-16 DarlIngton TransIstor Arrays 5-6 недель, 25 шт. Бренд: Toshiba	5-6 недель, 25 шт.	2 380 ֏ ×
TMBT3904,LM, 50V 320mW 100@10mA,1V 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS 8-10 недель, 28700 шт. Бренд: Toshiba	8-10 недель, 28700 шт.	22 ֏ ×
TMBT3904,LM, 50V 320mW 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT 5-6 недель, 28740 шт. Бренд: Toshiba	5-6 недель, 28740 шт.	40 ֏ ×
TMBT3904,LM, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 7-9 недель, 11566 шт. Бренд: Toshiba	7-9 недель, 11566 шт.	207 ֏ ×
TTA003,L1NQ(O, Bipolar Transistors - BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE 7-9 недель, 2000 шт. Бренд: Toshiba	7-9 недель, 2000 шт.	880 ֏ ×
TTC1949-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR 7-9 недель, 14135 шт. Бренд: Toshiba	7-9 недель, 14135 шт.	269 ֏ ×
TTC1949-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR 7-9 недель, 6995 шт. Бренд: Toshiba	7-9 недель, 6995 шт.	383 ֏ ×
2SC3421 По запросу Бренд: Toshiba Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 120 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 10 Корпус: to-126	По запросу	203 ֏ ×

Транзисторы биполярные (BJTs) Toshiba, стр.28

ООО «ЧИП и ДИП»