Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics, стр.3

2257 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
STP12NM50FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 0.30 Ом, 12А [TO-220FP]
8 дней, 710 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.35 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
710 шт.
2 610 ֏
1 730 ֏
×
от 15 шт. — 1 660 ֏
STP13NK60Z, Транзистор MOSFET N-CH 600V 13A [TO-220]
8 дней, 167 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
167 шт.
1 400 ֏
990 ֏
×
от 15 шт. — 950 ֏
STP13NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.28 Ом, 11А [TO-220AB]
8 дней, 432 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
432 шт.
1 100 ֏
740 ֏
×
от 15 шт. — 720 ֏
STP140NF55, Транзистор MOSFET N-канал 55В 80А [TO-220]
8 дней, 80 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
80 шт.
1 400 ֏
850 ֏
×
от 15 шт. — 830 ֏
STP14NK50ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 500В, 14А [TO-220FP]
8 дней, 560 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
560 шт.
1 580 ֏
680 ֏
×
от 15 шт. — 640 ֏
STP14NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12 А, [TO-220]
8 дней, 175 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
175 шт.
1 280 ֏
770 ֏
×
от 15 шт. — 750 ֏
STP16N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 12А, 0.230 Ом [TO-220]
8 дней, 201 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
201 шт.
2 670 ֏
1 900 ֏
×
от 15 шт. — 1 870 ֏
STP16NF06, Транзистор, STripFETT II, N-канал, 60В, 16А, 0.08Ом, [TO-220]
8 дней, 820 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/8a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 6.5
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
820 шт.
590 ֏
444 ֏
×
от 15 шт. — 430 ֏
STP20NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 20А [TO-220AB]
8 дней, 140 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
140 шт.
3 820 ֏
2 590 ֏
×
от 5 шт. — 2 570 ֏
STP21N90K5, Транзистор, SuperMESH 5, N-канал, 900 В, 0.25 Ом, 18.5А [TO-220AB]
8 дней, 131 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
131 шт.
6 000 ֏
4 340 ֏
×
от 15 шт. — 4 270 ֏
STP24NF10, Транзистор N-MOSFET 100В 26А [TO-220AB]
8 дней, 164 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 26
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 85
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
164 шт.
880 ֏ ×
от 30 шт. — 840 ֏
STP26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.135 Ом, 20А [TO-220AB]
8 дней, 189 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
189 шт.
2 850 ֏
1 910 ֏
×
от 15 шт. — 1 890 ֏
STP30NF10, Транзистор MOSFET N-канал 100В 35А [TO-220]
8 дней, 490 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 115
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
490 шт.
730 ֏
346 ֏
×
от 15 шт. — 325 ֏
STP3NK80Z, Транзистор MOSFET N-канал 800В 2.5А [TO-220]
8 дней, 302 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 2.1
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
302 шт.
770 ֏ ×
от 15 шт. — 710 ֏
STP4N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А [TO-220AB]
8 дней, 121 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
121 шт.
4 250 ֏
2 890 ֏
×
от 15 шт. — 2 870 ֏
STP4NK80Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 800В, 3А 3 Ом [TO-220AB]
8 дней, 375 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Крутизна характеристики, S: 2.9
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
375 шт.
1 040 ֏
880 ֏
×
от 15 шт. — 840 ֏
STP4NK80ZFP, Транзистор N-MOSFET 800В 3А SuperMESH [TO-220FP]
8 дней, 321 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Крутизна характеристики, S: 2.9
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
321 шт.
1 280 ֏
510 ֏
×
от 15 шт. — 458 ֏
STP5NK50ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500В, 4.4А, 1.5Ом [TO-220FP]
8-10 дней, 20 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 3.1
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8-10 дней,
20 шт.
730 ֏
304 ֏
×
STP5NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 650В, 5А, 1.2Ом [TO-220FP]
8 дней, 172 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.6 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
172 шт.
910 ֏
313 ֏
×
от 15 шт. — 308 ֏
STP5NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220]
8 дней, 246 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.4 Ом/2.15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
246 шт.
1 100 ֏ ×
от 15 шт. — 1 060 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60