STP20NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 20А [TO-220AB]
![Фото 1/4 STP20NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 20А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/338/DOC001338400.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/709/DOC005709320.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737173.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452314.jpg)
140 шт. с центрального склада, срок 9 дней
3 820 ֏
2 620 ֏
от 5 шт. —
2 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 620 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 550В, 20А, 192Вт, TO220-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.25 Ом/10А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 192 | |
Крутизна характеристики, S | 10 | |
Корпус | to-220 | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet STP20NM50
pdf, 350 КБ
Документация
pdf, 350 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 июля1 | бесплатно |
HayPost | 16 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг