Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics, стр.4

2257 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
STP62NS04Z, Транзистор MOSFET N-канал 33В 62А [TO-220]
8 дней, 93 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/30a, 10В
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
93 шт.
730 ֏
364 ֏
×
от 15 шт. — 335 ֏
STP65NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.0015Ом, 60А [TO-220AB]
8 дней, 564 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 50
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
564 шт.
1 700 ֏
1 010 ֏
×
от 15 шт. — 990 ֏
STP6N62K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 620 В, 0.95 Ом, 5.5А [TO-220AB]
8 дней, 16 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 620
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/2.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
16 шт.
790 ֏
493 ֏
×
от 15 шт. — 479 ֏
STP7NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.5Ом, 5.2А [TO-220FP]
8 дней, 372 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.8 Ом/2.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
372 шт.
1 940 ֏
1 010 ֏
×
от 15 шт. — 920 ֏
STP80NF03L-04, Транзистор MOSFET N-канал 30В 80А [TO-220]
8 дней, 60 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
60 шт.
1 280 ֏
940 ֏
×
от 15 шт. — 910 ֏
STP80NF12, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 120В, 0.013Ом, 80A [TO-220AB]
8 дней, 271 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 120
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Крутизна характеристики, S: 80
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
271 шт.
2 910 ֏
1 870 ֏
×
от 15 шт. — 1 800 ֏
STP80NF55-08, МОП-транзистор, N-канальный, 80 А, 55 В, 8 мОм, 10 В, 3 В, [TO-220]
8 дней, 72 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Крутизна характеристики, S: 40
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
72 шт.
2 670 ֏
1 640 ֏
×
от 15 шт. — 1 610 ֏
STP8NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-канал 800В 6.2А [TO-220FP]
8 дней, 147 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/3.1a, 10В
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
147 шт.
770 ֏ ×
от 15 шт. — 710 ֏
STP9NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500 В, 0.72 Ом, 7.2А [TO-220AB]
8 дней, 89 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
89 шт.
790 ֏
620 ֏
×
STP9NK60Z, Транзистор MOSFET N-канал 600В 7А [TO-220]
8 дней, 271 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
271 шт.
1 400 ֏
600 ֏
×
от 15 шт. — 550 ֏
STP9NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 7A [TO-220FP]
8 дней, 50 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
50 шт.
1 040 ֏
650 ֏
×
от 15 шт. — 620 ֏
STQ1NK60ZR-AP, Транзистор MOSFET N-канал 600В 0.3А [TO-92 Ammo]
8 дней, 165 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 15 Ом/0.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3
Корпус: TO-92 Formed Leads
быстрый просмотр
8 дней,
165 шт.
316 ֏
297 ֏
×
от 100 шт. — 264 ֏
STS4DNF60L, Транзистор, STripFET, N-канал, 60В, 0.045Ом, 4A [SO-8]
8 дней, 962 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
8 дней,
962 шт.
740 ֏ ×
от 25 шт. — 710 ֏
STU6N62K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 620 В, 0.95 Ом, 5.5 А, [I-PAK]
8 дней, 739 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 620
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/2.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: IPAK
быстрый просмотр
8 дней,
739 шт.
730 ֏
530 ֏
×
от 15 шт. — 510 ֏
STW14NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 14А [TO-247]
8 дней, 212 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
8 дней,
212 шт.
1 940 ֏
1 370 ֏
×
от 15 шт. — 1 360 ֏
STW15NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 14А [TO-247]
8 дней, 111 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.34 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
8 дней,
111 шт.
1 940 ֏
1 230 ֏
×
от 15 шт. — 1 200 ֏
STW20NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500В, 0.23Ом, 20А [TO-247]
8 дней, 270 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
8 дней,
270 шт.
2 190 ֏
1 430 ֏
×
от 15 шт. — 1 390 ֏
STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247]
8 дней, 142 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
8 дней,
142 шт.
3 400 ֏
2 300 ֏
×
от 15 шт. — 2 280 ֏
STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247]
8 дней, 261 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
8 дней,
261 шт.
2 850 ֏
1 850 ֏
×
от 15 шт. — 1 820 ֏
STW45NM50, Транзистор MOSFET N-канал 500В 45А [TO-247]
8 дней, 245 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 45
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/22.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 417
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
8 дней,
245 шт.
10 700 ֏ ×
от 15 шт. — 10 400 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60