Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал ...

STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

261 шт. с центрального склада, срок 8 дней

2 850 ֏

1 850 ֏

от 15 шт. — 1 820 ֏

1 шт. на сумму 1 850 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 9000187562

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор полевой STW26NM60N от STMicroelectronics – мощный компонент для современной электроники, предназначенный для монтажа THT. Этот N-MOSFET обладает впечатляющим током стока в 12,6 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 600 В, что делает его идеальным выбором для высоконапряженных применений. С мощностью 140 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,135 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Всё это упаковано в прочный корпус TO247, обеспечивающий долговечность и стабильность. Используйте STW26NM60N для уверенной работы ваших электронных схем. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	12.6
Напряжение сток-исток, В	600
Мощность, Вт	140
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.135
Корпус	TO247

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.165 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	140
Корпус	TO-247
Вес, г	7.5