Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) VBsemi, стр.2

2086 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3]
9 дней, 4547 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.3 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.3
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
9 дней,
4547 шт.
48 ֏ ×
от 100 шт. — 43 ֏
SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3]
9 дней, 1236 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Крутизна характеристики, S: 24
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
9 дней,
1236 шт.
140 ֏
71 ֏
×
от 100 шт. — 62 ֏
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]
9 дней, 8633 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.086 Ом/1.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.66
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
9 дней,
8633 шт.
170 ֏
116 ֏
×
от 100 шт. — 108 ֏
SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236]
9 дней, 5354 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.054 Ом/3.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
9 дней,
5354 шт.
110 ֏ ×
от 100 шт. — 84 ֏
STD10PF06T4-VB, Транзистор P-MOSFET 60В 30А 34Вт [D-PAK]
9 дней, 543 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.061 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 34
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
9 дней,
543 шт.
520 ֏ ×
от 15 шт. — 484 ֏
STD60NF06T4-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 50А 136Вт [TO-252]
9 дней, 27 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 8.3
Крутизна характеристики, S: 60
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
9 дней,
27 шт.
510 ֏ ×
от 100 шт. — 458 ֏
2SK216-VB, Транзистор N-MOSFET 200В [TO-220]
3 недели, 2 шт.
Бренд: VBsemi
быстрый просмотр
3 недели,
2 шт.
2 050 ֏ ×
от 5 шт. — 1 980 ֏
AM4462N-T1-PF-VB, Транзистор N-MOSFET 60В [SOP-8]
9 дней, 1 шт.
Бренд: VBsemi
быстрый просмотр
9 дней,
1 шт.
710 ֏ ×
AO4421-VB, 60V 8A 50m-@10V,8A P Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
3 недели, 1 шт.
Бренд: VBsemi
быстрый просмотр
3 недели,
1 шт.
690 ֏ ×
от 5 шт. — 630 ֏
FQU11P06, Транзистор P-MOSFET 60В 20А [TO-251]
9 дней, 10 шт.
Бренд: VBsemi
быстрый просмотр
9 дней,
10 шт.
253 ֏ ×
от 3 шт. — 244 ֏
IRF520NS, Транзистор N-MOSFET 100В 20А [D2PAK]
9 дней, 3 шт.
Бренд: VBsemi
быстрый просмотр
9 дней,
3 шт.
580 ֏ ×
быстрый просмотр
9 дней,
1 шт.
660 ֏ ×
от 3 шт. — 640 ֏
быстрый просмотр
9 дней,
8 шт.
75 ֏ ×
UTT150N03L-TA3-T-VB, Электронный компонент
3 недели, 2 шт.
Бренд: VBsemi
быстрый просмотр
3 недели,
2 шт.
300 ֏ ×
быстрый просмотр
9 дней,
1 шт.
383 ֏ ×
быстрый просмотр
9-11 дней,
28 шт.
530 ֏ ×
от 10 шт. — 427 ֏
FDD5614P
9-11 дней, 1030 шт.
Бренд: VBsemi
быстрый просмотр
9-11 дней,
1030 шт.
194 ֏ ×
от 165 шт. — 163 ֏
от 692 шт. — 141 ֏
быстрый просмотр
9-11 дней,
22 шт.
256 ֏ ×
от 10 шт. — 203 ֏
IRF5305STR-VB
9-11 дней, 275 шт.
Бренд: VBsemi
быстрый просмотр
9-11 дней,
275 шт.
484 ֏ ×
от 70 шт. — 392 ֏
IRF5305STR-VB, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak
9-11 дней, 280 шт.
Бренд: VBsemi
Корпус: d2pak
быстрый просмотр
9-11 дней,
280 шт.
800 ֏ ×
от 30 шт. — 484 ֏
от 120 шт. — 454 ֏
от 210 шт. — 435 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60