Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.4

_{723 из 2912}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IR4427STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня [SOIC-8] (=IR4427SPBF) Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	580 ֏ ×	от 15 шт. — 530 ֏
IRS10752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 100В 160/240мА [SOT-23-6L] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 100 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	1 400 ֏ 890 ֏ ×	от 5 шт. — 870 ֏
IRS2011STRPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	2 840 ֏ ×	от 5 шт. — 2 800 ֏
IRS20752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 200В 160/240мА [SOT-23-6L] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 85 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 120 ֏ ×	от 5 шт. — 1 100 ֏
IRS2104STRPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon	быстрый просмотр	970 ֏ 700 ֏ ×
IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 850 ֏ 1 800 ֏ ×	от 5 шт. — 1 770 ֏
IRS2113SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, High и Low-Side [SOIC-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	2 430 ֏ 2 230 ֏ ×	от 5 шт. — 2 120 ֏
IRS21531DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 150 ֏ ×	от 5 шт. — 1 130 ֏
IRS2153DPBF, Полумостовой драйвер с генератором, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 610 ֏ 1 830 ֏ ×	от 5 шт. — 1 760 ֏
IRS2153DSTRPBF, Полумостовой драйвер с генератором, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 340 ֏ 910 ֏ ×	от 10 шт. — 850 ֏
IRS2181STRPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	3 340 ֏ 1 910 ֏ ×	от 5 шт. — 1 580 ֏
IRS21844STRPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 600В, 2.3А [SOIC-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр	4 210 ֏ ×	от 5 шт. — 4 020 ֏
IRS21864STRPBF, Драйвер IGBT/MOSFET, 4А [SOIC-14-0.154] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр	3 400 ֏ 2 350 ֏ ×	от 5 шт. — 2 320 ֏
IRS2186SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 18 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	4 670 ֏ 3 130 ֏ ×	от 50 шт. — 2 910 ֏
IRS23364DJPBF, Драйвер IGBT/MOSFET мостовой трехфазный [PLCC-44, 32 Leads] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 11.5…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)	быстрый просмотр	7 100 ֏ 4 200 ֏ ×	от 5 шт. — 4 050 ֏
IRS2453DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 4-OUT, High и Low-Side, мост [SOIC-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Full-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Логическое напряжение (VIL), В: 1.7 Логическое напряжение (VIH), В: 9.3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 640 ֏ 1 070 ֏ ×	от 5 шт. — 1 060 ֏
IRS44273LTRPBF, Одноканальный драйвер ключа нижнего уровня, [SOT-23-5] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOT-23-5	быстрый просмотр	1 040 ֏ 308 ֏ ×	от 100 шт. — 282 ֏
IRS4427SPBF, Драйвер IGBT/MOSFET [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 580 ֏ 1 210 ֏ ×	от 15 шт. — 1 150 ֏
IRS4428SPBF, Драйвер 25В DUAL LOW SIDE [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 400 ֏ 900 ֏ ×	от 5 шт. — 870 ֏
1EDI20I12MF, IGBT-драйвер [SOIC-8] Бренд: Infineon	быстрый просмотр	1 200 ֏ ×	от 3 шт. — 1 160 ֏

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.4

ООО «ЧИП и ДИП»