Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ON Semiconductor

_{177 из 2253}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	4 910 ֏ 3 410 ֏ ×	от 15 шт. — 3 380 ֏
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	4 790 ֏ 3 290 ֏ ×	от 15 шт. — 3 260 ֏
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	6 000 ֏ 4 030 ֏ ×	от 15 шт. — 4 000 ֏
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	7 800 ֏ 5 500 ֏ ×	от 15 шт. — 5 400 ֏
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр	2 910 ֏ 1 970 ֏ ×	от 50 шт. — 1 810 ֏
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	11 900 ֏ ×
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	4 670 ֏ 2 830 ֏ ×	от 15 шт. — 2 680 ֏
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	4 550 ֏ 3 130 ֏ ×	от 15 шт. — 3 100 ֏
FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	6 000 ֏ 4 050 ֏ ×	от 15 шт. — 4 020 ֏
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	4 250 ֏ 2 980 ֏ ×	от 15 шт. — 2 940 ֏
HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	3 520 ֏ 2 420 ֏ ×	от 15 шт. — 2 380 ֏
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	4 250 ֏ 2 920 ֏ ×	от 15 шт. — 2 890 ֏
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	2 910 ֏ 1 910 ֏ ×	от 15 шт. — 1 880 ֏
ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Ignition Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 430 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: DPAK/TO-252AA	быстрый просмотр	2 910 ֏ 2 020 ֏ ×	от 15 шт. — 2 000 ֏
ISL9V3040S3ST, Транзистор Ignition IGBT 430В 21А [D2-PAK/ TO-263AB] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Ignition Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 430 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 400 ֏ ×	от 15 шт. — 1 370 ֏
FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 186 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр	3 640 ֏ 1 560 ֏ ×	от 15 шт. — 1 480 ֏
FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 3 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 238 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16.8 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.4 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	3 820 ֏ 1 950 ֏ ×	от 15 шт. — 1 850 ֏
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop, Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	5 800 ֏ 3 950 ֏ ×	от 15 шт. — 3 920 ֏
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	4 550 ֏ 3 050 ֏ ×	от 15 шт. — 3 020 ֏
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	2 020 ֏ ×	от 15 шт. — 1 910 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ON Semiconductor

ООО «ЧИП и ДИП»