A1C15S12M3-F, IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 15A

A1C15S12M3-F, IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 15A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт., срок 8-10 недель
26 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 26 300 ֏
Номенклатурный номер: 8226967397
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.95В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 15А
DC Ток Коллектора 15А
Power Dissipation 142.8Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Three Phase CIB(Converter+Inverter+Brake)
Линейка Продукции ACEPACK 1 M
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.95В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 142.8Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 1.45

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 4 сентября1 бесплатно
HayPost 8 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг