A1C15S12M3-F, IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 15A
![A1C15S12M3-F, IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 15A](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC045166163.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт., срок 8-10 недель
26 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 26 300 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 15А |
DC Ток Коллектора | 15А |
Power Dissipation | 142.8Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Three Phase CIB(Converter+Inverter+Brake) |
Линейка Продукции | ACEPACK 1 M |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.95В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 142.8Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 1.45 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг