Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics

_{303 из 2220}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220] 291 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	291 шт.	1 400 ֏ 1 230 ֏ ×	от 15 шт. — 1 160 ֏
STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247] 250 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	250 шт.	3 340 ֏ 2 230 ֏ ×	от 15 шт. — 2 210 ֏
STGB10NB37LZT4, Транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK] 9 дней, 750 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH, Internally Clamped Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 440 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 1300 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 8000 Рабочая температура (Tj), °C: -65…+175 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	9 дней, 750 шт.	2 910 ֏ 2 120 ֏ ×	от 15 шт. — 2 050 ֏
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK] 9 дней, 202 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	9 дней, 202 шт.	1 160 ֏ 920 ֏ ×	от 15 шт. — 890 ֏
STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP] 9 дней, 125 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 9 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	9 дней, 125 шт.	1 420 ֏ ×	от 15 шт. — 1 350 ֏
STGF19NC60KD, Транзистор IGBT 600В 16А 32Вт [TO-220FP] 9 дней, 310 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	9 дней, 310 шт.	2 190 ֏ 1 430 ֏ ×	от 15 шт. — 1 410 ֏
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220] 9 дней, 669 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	9 дней, 669 шт.	1 200 ֏ ×	от 15 шт. — 1 150 ֏
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3] 9 дней, 283 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	9 дней, 283 шт.	3 160 ֏ 2 110 ֏ ×	от 15 шт. — 2 080 ֏
STGP19NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 20А [TO-220] 9 дней, 534 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	9 дней, 534 шт.	720 ֏ ×	от 15 шт. — 650 ֏
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220] 9 дней, 229 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 15 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	9 дней, 229 шт.	1 040 ֏ 610 ֏ ×	от 15 шт. — 600 ֏
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247] 9 дней, 57 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	9 дней, 57 шт.	3 670 ֏ ×	от 15 шт. — 3 480 ֏
STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247] 9 дней, 208 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 37 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 146 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	9 дней, 208 шт.	2 670 ֏ 2 070 ֏ ×	от 15 шт. — 2 010 ֏
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247] 9 дней, 186 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 118 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	9 дней, 186 шт.	4 790 ֏ 2 970 ֏ ×	от 15 шт. — 2 920 ֏
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3] 9 дней, 102 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	9 дней, 102 шт.	2 670 ֏ 1 770 ֏ ×	от 15 шт. — 1 740 ֏
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247] 9 дней, 240 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 283 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 52 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	9 дней, 240 шт.	4 670 ֏ 3 280 ֏ ×	от 10 шт. — 3 230 ֏
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247] 9 дней, 227 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	9 дней, 227 шт.	8 400 ֏ 6 100 ֏ ×	от 15 шт. — 6 000 ֏
STGB10NC60KDT4 2-3 недели, 1 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	2-3 недели, 1 шт.	1 740 ֏ ×
STGB7NC60HDT4 2-3 недели, 1 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	2-3 недели, 1 шт.	3 120 ֏ ×
STGD10NC60HT4 2-3 недели, 2 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	2-3 недели, 2 шт.	3 740 ֏ ×	от 2 шт. — 3 070 ֏
STGD18N40LZT4 2-3 недели, 34 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	2-3 недели, 34 шт.	2 800 ֏ ×	от 2 шт. — 2 450 ֏ от 5 шт. — 2 080 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics

ООО «ЧИП и ДИП»