FGHL50T65SQ, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.6 В, 268 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 740 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
3 380 ֏
от 100 шт. —
2 650 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 11 220 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. FGHL50T65SQ is single IGBT. This IGBT offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 100А |
| Power Dissipation | 268Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 268 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.1167 |
Техническая документация
Datasheet FGHL50T65SQ
pdf, 294 КБ
