NXH160T120L2Q2F2SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 160 А, 2.15 В, 500 Вт, 150 °C, PIM
![Фото 1/2 NXH160T120L2Q2F2SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 160 А, 2.15 В, 500 Вт, 150 °C, PIM](https://static.chipdip.ru/lib/714/DOC004714441.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/645/DOC021645854.jpg)
126 000 ֏
от 5 шт. —
116 000 ֏
от 10 шт. —
107 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 126 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.15В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 160А |
DC Ток Коллектора | 160А |
Power Dissipation | 500Вт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Количество Выводов | 56вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | PIM Half Bridge Inverter |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.15В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 500Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | PIM |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet NXH160T120L2Q2F2SG
pdf, 223 КБ