NXH80T120L2Q0S2G, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 67 А, 2.35 В, 158 мВт, 150 °C, PIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
71 200 ֏
от 5 шт. —
64 900 ֏
от 10 шт. —
62 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 71 200 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.35В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 67А |
| DC Ток Коллектора | 67А |
| Power Dissipation | 158мВт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Количество Выводов | 20вывод(-ов) |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Half Bridge Inverter |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.35В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 158мВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | PIM |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet NXH80T120L2Q0S2G
pdf, 605 КБ
