SCTW100N65G2AG, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 А, 650 В, 0.02 Ом, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 шт., срок 9-11 недель
42 000 ֏
от 5 шт. —
38 100 ֏
от 10 шт. —
34 000 ֏
1 шт.
на сумму 42 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETsSTMicroelectronics Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs are developed using ST's advanced and innovative 2nd/3rd generation SiC MOSFET technology. The devices feature low on-resistance per unit area and very good switching performance. The MOSFETs feature a very high operating temperature capability (TJ = 200°C), and a very fast and robust intrinsic body diode.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.02Ом |
| Power Dissipation | 420Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.1В |
| Рассеиваемая Мощность | 420Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.02Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | HiP-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 420 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 162 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 69 mOhms |
| Series: | SCTW100N65G2AG |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +22 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Channel Mode | Depletion |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.105 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | H2PAK-7 |
| Pin Count | 7 |
| Series | SCT |
| Transistor Material | SiC |
| Вес, г | 4.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 419 КБ
Datasheet SCTW100N65G2AG
pdf, 218 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 29 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
