SCTWA60N120G2-4, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Канал, 60 А, 1.2 кВ, 0.035 Ом, HiP247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
262 шт., срок 8-10 недель
37 900 ֏
от 5 шт. —
35 200 ֏
от 10 шт. —
32 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 37 900 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules
The STMicroelectronics SCTWA60N is silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology.
Технические параметры
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.2e+007 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | HiP247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Series | SCTW |
| Вес, г | 6.08 |
Техническая документация
Datasheet SCTWA60N120G2-4
pdf, 192 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
